Физический энциклопедический словарь:
Величина, характеризующая способность одной элем. ячейки кристалла когерентно рассеивать рентг. излучение, гамма-излучение, эл-ны, нейтроны в зависимости от внутр. строения ячейки (числа атомов в ней N, их координат xj, yj, zj, атомных факторов fj).
С. ф. определяется как сумма ат. факторов fj с учётом имеющихся пространств. сдвигов фаз между волнами, рассеянными разл. атомами:
F(h, k, l)SNj=1jexp 2p(hxj+kyj+lzj)
(i=?-1; h, k, l —индексы Миллера, (см. ИНДЕКСЫ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ)). С. ф. связан с амплитудой рассеяния элем. ячейки кристалла. Интенсивность I(h,k,l) дифракц. максимума с индексами h, k, l пропорц. квадрату модуля соответствующего С. ф.: I(h,k,l)=|F(h,k,l) |2. Отсюда следует, что по экспериментально определяемым I(h,k,l) можно найти лишь модуль С. ф. |F(h,k,l)|, так что однозначно определить С. ф. по интенсивностям дифракц. максимумов нельзя.
Связь С. ф. с индивидуальными рассеивающими св-вами каждой крист. структуры лежит в основе структурных исследований кристаллов. Так, в зависимости от симметрии расположения атомов в элем. крист. ячейке в тех или иных из разрешённых Брэгга — Вульфа условием направлениях рассеянные атомами волны могут взаимно погаситься, так что интенсивности I(h,k,l) соответствующих дифракц. максимумов обращаются в нуль. По тому, какие именно дифракц. максимумы исчезли, можно (хотя и не всегда однозначно) определить пространственную группу симметрии кристалла.
Зная С. ф. для всех дифракц. отражений h, k, l, можно построить распределение электронной плотности (электростатич. потенциала или спиновой плотности) кристалла, что служит теор. основой структурного анализа кристаллов.
© «СловоТолк.Ру» — толковые и энциклопедические словари, 2007-2020