Физический энциклопедический словарь:
Сдвиг границы (края) собств. поглощения света в полупроводнике в сторону меньших частот в присутствии внеш. электрич. поля. Теоретически предсказан нем. физиком В. Францем (W. Franz) и Л. В. Келдышем (1958), и экспериментально обнаружен в Si В. С. Вавиловым и К. И. Брицыным (1960). В отсутствие электрич. поля краю поглощения соответствует частота света w=?g/ћ, где ?g—ширина запрещённой зоны. В электрич. поле Е вследствие туннелирования (см. ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ) эл-нов из валентной зоны в зону проводимости край поглощения размывается и становится возможным поглощение света с частотой w
© «СловоТолк.Ру» — толковые и энциклопедические словари, 2007-2020